半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成具有半导体元件的元件形成层；在所述元件形成层上提供支撑基材；在所述剥离层和所述元件形成层之间的界面处产生剥离；通过绕滚筒卷绕所述元件形成层和所述支撑基材，将所述元件形成层从所述衬底分离；以及用液体濡湿因剥离而露出的所述元件形成层的表面。