| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer MOS-Transistorstruktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19913375(B4) |
申请公布日期 |
2009.03.26 |
| 申请号 |
DE19991013375 |
申请日期 |
1999.03.24 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HIRLER, FRANZ;WERNER, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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