| 发明名称 |
Feldeffekttransistor, Halbleitereinrichtung, Verfahren zur Herstellung dieser, und Verfahren für ein Halbleiterkristallwachstum |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE112005001337(T5) |
申请公布日期 |
2009.03.26 |
| 申请号 |
DE20051101337T |
申请日期 |
2005.06.09 |
| 申请人 |
TOYODA GOSEI CO. LTD. |
发明人 |
HIRATA, KOJI;KOSAKI, MASAYOSHI;SENDA, MASANOBU;SHIBATA, NAOKI |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/205;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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