形成具有接纳电连接件倾斜边缘的半导体电路小片的方法

摘要

本发明揭示一种形成低型面半导体封装的方法和一种借此形成的半导体封装。半导体电路小片形成有一个或一个以上倾斜边缘，导电迹线可沉积在所述倾斜边缘上以允许将所述半导体电路小片耦合到另一电路小片和/或上面安装所述电路小片的衬底。将所述电迹线直接沉积在所述电路小片的表面和倾斜边缘上允许在不用结合线的情况下对所述电路小片进行电耦合，进而允许所述封装的总厚度减小。

主权项

1. 一种形成半导体电路小片的方法，其包括以下步骤：(a)在所述半导体电路小片的表面上形成电路小片结合垫；以及(b)用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片，从而在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘以用于接纳导电迹线。