一种金电极对的制备方法

摘要

本发明公开了一种金电极对的制备方法，包括金丝的绝缘固定、构建电解电路、电解、洗涤等步骤，通过对金丝下端电压的取样，控制电子开关的通断，实现对腐蚀反应的自动控制，从而获得所需的纳米级间距的金电极对。本发明首次采用电化学方法在常规环境下制备了纳米级间距的金电极对，试验发现，采用本发明的制备方法可得到最小间距为5nm的金电极对，为构建分子尺寸器件基本单元并进一步构建分子电子器件奠定了基础，且该制备方法简单、条件温和，无需大型仪器设备，可直接在实验室进行。

主权项

1. 一种金电极对的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在一金丝(1)的两端分别焊接引出线，金丝(1)中部预留长度1～2毫米的反应部，其余部分进行绝缘处理，并固定于一绝缘板(2)上；(2)将所述绝缘板(2)竖直插入电解液(4)中，液面位于所述金丝(1)的反应部，以金丝(1)为正电极，石墨为负电极，构成电解电路；所述电解电路的电源正极与金丝(1)的上端引出线电连接，电源负极接地并通过一电子开关(5)的开关部与石墨电极连接；电子开关(5)的控制端与金丝(1)的下端引出线电连接；所述电子开关(5)的开关部为MOS管，控制部包括比较器和三极管，比较器的输出端与三极管基极连接，三极管集电极与MOS管栅极连接，三极管的发射极和MOS管源极导通并连接电源负极，MOS管源极与石墨电极连接，比较器的正向输入端连接比较电压，比较器的反向输入端为电子开关(5)的控制端；所述电子开关的整体响应时间小于2μs；(3)设定所述电子开关(5)的比较电压，所述比较电压低于电源电压，两者的差值为0.01～0.05V；然后进行电解，当金丝被腐蚀断开后，MOS管截止，反应结束；(4)将得到的样品浸泡洗涤，获得所述金电极对。