| 发明名称 | 双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括鳍部(220)、第一栅极(240)和第二栅极(420)。该第一栅极(240)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(420)则围绕该鳍部(220)和第一栅极(240)。在另一实施例中，一三栅极MOSFET包括鳍部(220)、第一栅极(710)、第二栅极(720)和第三栅极(730)，该第一栅极(710)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(720)紧邻着鳍部(220)形成，第三栅极(730)紧邻着鳍部(220)并相对于第二栅极而形成(720)。 | ||
| 申请公布号 | CN100472810C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200380101958.X | 申请日期 | 2003.10.14 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·R·林;J·X·安;Z·克里沃卡皮克;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
| 主权项 | 1. 一种在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法，该方法包含以下步骤：形成硅鳍部结构；在该硅鳍部结构的上端形成包含栅极电极层的第一栅极结构，该第一栅极结构的宽度与该硅鳍部结构的宽度相同；以及形成围绕该硅鳍部结构和该第一栅极结构的第二栅极结构，其中该第二栅极结构包含和该第一栅极结构的该栅极电极层分开的第二栅极电极层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||