| 发明名称 | 形成沟渠电容的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种形成沟渠电容的方法，是以下列制造步骤来揭示。在一半导体基材上形成沟渠。沉积第一沟渠介电层于此沟渠内，且第一沟渠介电层的高度并未达到此沟渠的全部高度。于第一沟渠介电层上并沿着此沟渠的内侧表面形成蚀刻终止层(Etch Stop Layer)。沉积第二沟渠介电层于蚀刻终止层上。去除第二沟渠介电层和蚀刻终止层，以暴露出第一沟渠介电层。于第一沟渠介电层上形成导电层，以使导电层、第一沟渠介电层和半导体基材作用为沟渠电容。 | ||
| 申请公布号 | CN100472712C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200610083522.8 | 申请日期 | 2006.05.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈朝祺;侯全评 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成沟渠电容的方法，其特征在于其至少包括：形成一沟渠于一半导体基材上；沉积一第一沟渠介电层于该沟渠内，且该第一沟渠介电层的高度并未达到该沟渠的高度；于该第一沟渠介电层上并沿着该沟渠的内侧表面上形成一蚀刻终止层；沉积一第二沟渠介电层于该蚀刻终止层上；去除设置在该沟渠外的该第二沟渠介电层、该蚀刻终止层、和该第一沟渠介电层；去除该沟渠中的该第二沟渠介电层和该蚀刻终止层，以暴露出该第一沟渠介电层；以及于该第一沟渠介电层上形成一导电层，以使该导电层、该第一沟渠介电层和该半导体基材作用为一沟渠电容。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||