CMP研磨方法及装置、半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。

主权项

1. 一种CMP研磨方法，其特征在于，对于采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的结构，进行用于去除布线材料和屏障金属的CMP研磨，之后，用清洗液清洗去除残留在上述基板表面上的料浆和研磨残留物，再在之后，对上述基板表面进行基于有机溶剂或含有有机溶剂的溶液的清洗处理及加热处理中的至少一种。