半导体片的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供在绝缘膜上具有膜厚薄且其膜厚的均匀性高的单晶半导体层的SOI衬底的制造方法。另外，本发明的目的也在于缩短添加氢离子的时间，而缩短每一个SOI衬底的制造时间。在第一半导体片的表面上形成接合层，通过使用离子掺杂装置对第一半导体片照射H₃⁺离子来在接合层的下方形成分离层。以高电压被加速的H₃⁺离子在半导体片表面分离成三个H⁺离子，每个H⁺离子不能够侵入到半导体片的深处。因此，与已知的离子注入法相比，可以在半导体片的更浅的区域中以高浓度照射H⁺离子。

主权项

1. 一种半导体片的制造方法，包括如下工序：在第一半导体片的表面上形成接合层；通过使用离子掺杂装置对所述第一半导体片照射H3+离子来在所述接合层的下方形成分离层；将所述第一半导体片的所述接合层贴合到第二半导体片的一方的表面上；以及通过进行热处理以所述分离层的层内或所述分离层的界面为劈开面分离所述第一半导体片的一部分，其中，所述半导体片在所述第二半导体片的所述表面上具有所述接合层和所述接合层上的单晶半导体层。