发明名称 |
高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置。本装置置于真空镀膜室侧部,除靶位外均设置于真空镀膜室外部,靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接,实现靶位的精确双向转动;该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接,实现靶位的精确轴向往复移动,两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接。本装置可提高靶材利用率60%~100%,通过镶嵌型平面靶获得多组分质量优异的包覆型复合膜和合成膜产品,大幅度降低产品加工和设备维护成本,可提高真空室容积利用率,并节省能源。 |
申请公布号 |
CN201212056Y |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200820081206.1 |
申请日期 |
2008.05.16 |
申请人 |
昆明理工大学 |
发明人 |
杨滨 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利代理有限公司 |
代理人 |
赵 云 |
主权项 |
1、一种高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置,其特征是:靶位与由步进电机驱动的双向转动组件连接,该双向转动组件又与由另一步进电机驱动的轴向往复摆动组件连接,两组步进电机与PLC可编程控制器的电脉冲信号输出端电控连接。 |
地址 |
650093云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) |