| 发明名称 | 压控振荡器 | ||
| 摘要 | 压控振荡器，包括LC谐振电路(L1、L2，VD1、VD2)，其耦合到一对晶体管(T2、T3)并交叉耦合到一对发射极跟随器晶体管(T0、T4)，每个晶体管具有集电极、发射极和基极，压控振荡器的特征在于：加在发射极跟随器晶体管(T0、T4)的集电极上的电源电压与加在一对晶体管(T2、T3)的集电极上的电源电压不同。 | ||
| 申请公布号 | CN100472939C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN03818479.6 | 申请日期 | 2003.07.21 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | E·海登;H·维恩斯特拉 |
| 分类号 | H03B5/12(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1. 一种压控振荡器，包括LC谐振电路(L1、L2，VD1、VD2)，其耦合到一对晶体管(T2、T3)并交叉耦合到一对发射极跟随器晶体管(T0、T4)，每个晶体管具有集电极、发射极和基极，所述压控振荡器的特征在于：加在所述发射极跟随器晶体管(T0、T4)的集电极上的电源电压与加在所述一对晶体管(T2、T3)的集电极上的电源电压不同，所述LC谐振电路(L1、L2、VD1、VD2)经由连接为二极管的双极晶体管(T7)耦合到所述电源电压，用于为所述发射极跟随器晶体管(T0、T4)的集电极和所述一对晶体管(T2、T3)的集电极获得不同的电源电压。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||