| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a)，在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10)，在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70)，以及在除去支撑基片之后，对种子金属层(20a)进行构图以形成互连(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN100472740C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200610107566.X | 申请日期 | 2006.07.26 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 川野连也;副岛康志;栗田洋一郎 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，包括：绝缘树脂层，其配置有第一通孔栓；粘性导电薄膜，其配置在所述绝缘树脂层和所述第一通孔栓的第一表面上；第一互连，其配置在所述粘性导电薄膜上并且电连接到所述第一通孔栓；以及第二互连，其直接配置在所述绝缘树脂层的第二表面上并且电连接到所述第一通孔栓。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||