半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括在衬底上形成的NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和PMOS晶体管分别包括栅极、源极和漏极掺杂区，以及在栅极两侧形成的侧墙；其特征在于：所述NMOS晶体管栅极两侧的侧墙具有拉应力，所述PMOS晶体管栅极两侧的侧墙具有压应力。具有应力的侧墙对沟道和源/漏极区域具有更加显著的应力调节作用，能够进一步提高载流子迁移率，改善器件性能。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，包括:提供具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底，所述NMOS和PMOS器件分别具有栅极、源/漏极掺杂区；在所述衬底表面沉积拉应力材料层，所述拉应力材料层覆盖NMOS和PMOS晶体管；形成第一掩膜图形，所述掩膜图形覆盖NMOS晶体管表面的拉应力材料层并暴露PMOS晶体管表面的拉应力材料层；透过所述第一掩膜图形刻蚀所述PMOS晶体管表面的拉应力材料层；移除所述第一掩膜图形；形成第二掩膜图形，所述掩膜图形覆盖PMOS晶体管并暴露NMOS晶体管表面的拉应力材料层；透过所述第二掩膜图形刻蚀所述NMOS晶体管表面的拉应力材料层，从而在NMOS晶体管的栅极两侧形成拉应力侧墙；移除所述第二掩膜图形；在所述衬底表面沉积具有压应力材料层，所述压应力材料层覆盖NMOS和PMOS晶体管；刻蚀所述压应力材料层，从而在PMOS晶体管的栅极两侧形成压应力侧墙。