发明名称 |
半导体晶片的快速热处理方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体晶片的快速热处理方法。提供RTP反应舱,包括加热源、旋转驱动机制以及冷却系统,用以冷却该RTP反应舱的内壁。将半导体晶片加载RTP反应舱中时,RTP反应舱的内壁由冷却系统降温至第一温度,且半导体晶片的温度低于第一温度,导致附着并累积在RTP反应舱的较热内壁上的微粒污染物有朝向刚载入RTP反应舱中的半导体晶片的较冷表面移动扩散的倾向。接着,以加热源快速预热该半导体晶片至第二温度,其中第二温度高于该第一温度,藉此消除微粒污染物扩散倾向。当半导体晶片的温度到达第二温度时,启动旋转驱动机制,进行半导体晶片的旋转,同时间亦持续将半导体晶片的温度拉升至第三温度。 |
申请公布号 |
CN100472734C |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200510079527.9 |
申请日期 |
2005.06.23 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
蔡宗洵 |
分类号 |
H01L21/324(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1、一种半导体晶片的快速热处理方法,包括:提供一快速热处理反应舱,其包括有至少一加热源、一旋转驱动机制,用以转动半导体晶片,以及一冷却系统,用以冷却该快速热处理反应舱的内壁;将一半导体晶片加载该快速热处理反应舱中,此时该快速热处理反应舱的内壁由该冷却系统降温至第一温度;以该加热源快速预热该半导体晶片至一第二温度,其中该第二温度高于该第一温度;以及当该半导体晶片的温度到达该第二温度时,开始启动该旋转驱动机制,进行该半导体晶片的旋转,且同时间亦持续将该半导体晶片的温度拉升至第三温度。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |