具有可调栅极功函数的双金属CMOS晶体管以及其制法

摘要

本发明提供一种双金属CMOS之配置以及其制法，系提供一衬底(10)以及在衬底(10)上形成之多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)。各多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)具有栅极电极。各NMOS栅极电极包含衬底(10)上的第一硅化物区(50)与第一硅化物区(50)上的第一金属区(48)。该NMOS栅极电极的第一硅化物区(50)系由一个具有接近硅导电带的功函数的第一硅化物(50)组成。各PMOS栅极电极包含衬底上的第二硅化物区(54)与第二硅化物区(54)上的第二金属区(52)。该PMOS栅极电极的第二硅化物区(54)系由一个具有接近硅价带的功函数的第二硅化物(54)组成。

主权项

1. 一种包含双金属互补金属氧化物半导体配置的方法，该方法包含：在栅极介电质层上形成硅区以在N型金属氧化物半导体器件区内与P型金属氧化物半导体器件区内形成栅极电极；在该N型金属氧化物半导体器件区内的该硅区上沉积第一金属或金属合金；退火以在该N型金属氧化物半导体器件区内使该第一金属或金属合金与该硅区反应因此形成第一硅化物区与在该第一硅化物区上的第一金属或金属合金区，该第一硅化物区与该第一金属或金属合金区形成第一栅极电极；以及在该P型金属氧化物半导体器件区内的该硅区上沉积第二金属或金属合金；退火以在该P型金属氧化物半导体器件区内使该第二金属或金属合金与该硅区反应因此形成第二硅化物区与在该第二硅化物区上的第一金属或金属合金区，该第二硅化物区与该第二金属或金属合金区形成第二栅极电极；以及其中，该第一硅化物区具有在硅导带±0.2伏内的功函数，而该第二硅化物区具有在硅价带±0.2伏内的功函数。