| 发明名称 | 电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有新型氧化物层的电子器件及其制造方法。本发明的电子器件是具有氧化物层的电子器件，氧化物层由含有IIA族元素、IIB族元素和IIIA族元素的氧化物构成。例如，可用于太阳能电池，该太阳能电池具有第1电极层即背面电极(11)、透光性的第2电极层即透明导电膜(15)、配置在背面电极(11)和透明电极(15)之间的具有作为光吸收层功能的半导体层(13)、以及进一步具有配置在半导体层(13)和透明导电膜(15)之间的氧化物层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN100472815C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200310103649.8 | 申请日期 | 2003.11.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 根上卓之;桥本泰宏;井上浩伸 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1. 一种具有氧化物层的电子器件，其特征在于∶上述氧化物层由含IIA族元素、IIB族元素和IIIA族元素的氧化物构成；还具有第1电极层、透光性的第2电极层、以及在上述第1电极层和上述第2电极层之间配置的具有光吸收层功能的半导体层；上述氧化物层配置在上述半导体层和上述第2电极层之间；具有作为太阳能电池的功能。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||