发明名称 |
具有阈值电压控制功能的非易失性存储器 |
摘要 |
即使擦除单位区域之间重写操作的次数不同,也可以提高所有擦除单位区域的重写操作的次数。闪存EEPROM 100包括修整值储存区域130,其用于储存对应于存储单元阵列110中包括的每个擦除单位区域120的修整值。在对特定擦除单位区域120进行擦除操作和写入操作时,调节电路150将增压电路140增压的电压转换为对应于擦除单位区域120的修整值的电平。在由于重写操作次数增加而使读出确定电路170检测出异常时,将修整值更新为使调节电路150提高输出电压的值。 |
申请公布号 |
CN100472655C |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200610071668.0 |
申请日期 |
2006.03.30 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
三角贤治;小岛诚 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王 英 |
主权项 |
1、一种电可擦除可编程非易失性存储器,包括:多个擦除单位区域,其中每个都包括在擦除操作中被同时选择的多个非易失性存储单元晶体管;相应于所述各个擦除单位区域设置的多个输出调节值储存部分,其以非易失性的方式储存所述各个擦除单位区域的输出调节值;电压产生电路,其产生具有对于每个所述擦除单位区域的擦除操作和写入操作所需的电平的电压;电压调节电路,其根据提供给它的相应一个输出调节值来调节在所述电压产生电路中产生的电压电平;读出确定电路,其在对每个所述擦除单位区域的擦除操作和写入操作之后对数据进行确定;以及控制电路,其在对每个所述擦除单位区域的擦除操作和写入操作中工作。 |
地址 |
日本大阪府 |