光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。

主权项

1. 一种光电转换装置，具有基板和设在该基板上的光电转换层，其特征在于，所述光电转换层具有：向半导体中添加了p型杂质的p层；向半导体中添加了n型杂质的n层；以及设于所述p层和n层之间的主要具有微结晶锗硅的i层，所述p层和所述n层中作为靠近所述基板一侧的层的基板侧杂质添加层与所述i层之间具有缓冲层，该缓冲层主要具有微结晶硅或者微结晶锗硅，该缓冲层在拉曼分光测定光谱中的结晶相的峰值强度Ic(1)相对非结晶相的峰值强度Ia(1)的比值即拉曼峰值比Ic(1)/Ia(1)在0.8以上。