| 发明名称 | 薄膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜的形成方法，包括步骤：将晶片放置于沉积室内；分别通过第一气路和第二气路将第一反应气体和惰性气体通入所述沉积室内；停止通入所述惰性气体，通过第二气路将第二反应气体通入所述沉积室内；沉积薄膜；停止通入所述第二反应气体和所述第一反应气体；取出所述晶片。采用本发明的薄膜形成方法，可以避免反应气体在气路中混和发生反应，减少了在晶片上形成的颗粒缺陷，改善了薄膜的形成质量，提高了生产的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101393854A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710046308.X | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李春龙;赵星;赵金柱;李修远 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤:将晶片放置于沉积室内；分别通过第一气路和第二气路将第一反应气体和惰性气体通入所述沉积室内；停止通入所述惰性气体，通过第二气路将第二反应气体通入所述沉积室内；沉积薄膜；停止通入所述第二反应气体和所述第一反应气体；取出所述晶片。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||