| 发明名称 | 去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除缺陷膜层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。本发明还提供一种形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法。本发明用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。由于在去除缺陷第二膜层时的过蚀刻对第一膜层没有影响，从而在监测出第二膜层有缺陷时，对缺陷第二膜层随时进行去除而不影响到其它膜层，进而使半导体器件的成品率提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101393864A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710046302.2 | 申请日期 | 2007.09.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 范建国;郭军;季峰强;俞新波 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种去除缺陷膜层的方法，其特征在于，包括下列步骤:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||