用于功率器件的沟道场板末端

摘要

根据本发明的一个具体实施方式，半导体功率器件包括一个被设置为当半导体器件在传导状态下被偏压时传导电流的有源区，一个沿着有源区的外围的末端区。第一传导类型的第一硅区在第二传导类型的第二硅区内延伸到第一深度，第一和第二硅区在它们之间形成PN结。在末端中形成至少一个末端沟道。该末端沟道延伸入第二硅区中，并且与第一硅区横向地隔离开。绝缘层沿着末端沟道的侧壁和底部排列。传导电极至少部分地填充末端沟道。

主权项

1. 一种半导体功率器件，包含:有源区，被设置为当所述半导体器件在传导状态下被加偏压时传导电流；和末端区，沿着所述有源区的外围，所述末端区包含:第一传导类型的第一硅区，在第二传导类型的第二硅区内延伸到第一深度，所述第一和第二硅区在它们之间形成PN结；第一末端沟道，延伸入所述第二硅区中，并且与所述第一硅区横向隔离开；绝缘层，沿着所述第一末端沟道的侧壁和底部排列；以及传导电极，至少部分地填充所述第一末端沟道。