横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路

摘要

在本发明的横向双扩散场效应晶体管中，栅绝缘膜包括覆盖源扩散层直到超过基体扩散层图案的区域的第一栅绝缘膜、以及具有比第一栅绝缘膜的膜厚大的膜厚且覆盖比第一栅绝缘膜覆盖的区域更接近漏扩散层的区域的第二栅绝缘膜。第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜之间的界线由与基体扩散层的图案的一侧平行的直线部分和以一距离围绕该基体扩散层的图案的顶点的拐角部分组成。基体扩散层的图案的顶点与界线的拐角部分之间的距离等于或小于基体扩散层的图案的一侧与界线的直线部分之间的距离。

主权项

1. 一种横向双扩散场效应晶体管，包括：利用为矩形的图案在第一导电类型半导体层的表面上形成的第二导电类型基体扩散层；在所述基体扩散层区域中占据所述基体扩散层的表面的一部分的区域中形成的第一导电类型源扩散层；在所述第一导电类型半导体层的表面与所述基体扩散层隔开一距离围绕所述基体扩散层的区域中形成的第一导电类型漏扩散层；以及经由栅绝缘膜至少覆盖所述源扩散层和所述漏扩散层之间的第一导电类型半导体层和基体扩散层的表面的栅电极，其中，所述栅绝缘膜包括覆盖所述源扩散层直到超过所述基体扩散层图案的区域的第一栅绝缘膜、以及具有比所述第一栅绝缘膜的膜厚大的膜厚且覆盖比所述第一栅绝缘膜覆盖的区域更接近所述漏扩散层的区域的第二栅绝缘膜，其中，所述第一栅绝缘膜与所述第二栅绝缘膜之间的界线由分别与所述基体扩散层的图案的四侧平行的四条直线部分以及分别围绕所述基体扩散层的图案的四个顶点的四个拐角部分组成，所述各个拐角部分与对应的顶点以一距离隔开，以及其中，所述基体扩散层的图案的各个顶点与所述界线的各个拐角部分之间的距离，即第一距离，相等；所述基体扩散层的图案的各侧和所述界线的各个直线部分之间的距离，即第二距离，相等，其中所述各个直线部分与对应的侧以一距离隔开；所述第一距离等于或小于所述第二距离。