| 发明名称 |
具有P-区的双极晶体管功率器件及其低掺杂隔离制造方法 |
| 摘要 |
具有P-区的双极晶体管功率器件及其采用低掺杂隔离技术的制造方法属于微电子技术领域。现有技术是在N-扩散层上部中心区域经浓硼扩散推结形成基区P+区，再掺杂生成N+区，终端尺寸较大，硅片下料尺寸较大。本发明在N-扩散层上部中心区域经淡硼扩散推结形成基区P-区，再经浓硼扩散推结形成浅结基区P+区，再掺杂生成N+区，形成缓变结，在保证器件耐压的前提下减小终端尺寸。应用于双极晶体管功率器件制造领域。 |
| 申请公布号 |
CN101393926A |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
| 申请号 |
CN200810051399.0 |
申请日期 |
2008.11.10 |
| 申请人 |
吉林华微电子股份有限公司;吉林麦吉柯半导体有限公司 |
发明人 |
贾旭初;雷正龙;刘广海 |
| 分类号 |
H01L29/72(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/72(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
1、一种具有P-区的双极晶体管功率器件，其内部结构自下而上依次是金属底层(1)、N+衬底层(2)、N-扩散层(3)、N+区(5)、热氧化SiO2层(6)、金属表层(7)和聚酰亚胺钝化层(8)，金属底层(1)充任集电极，N+区(5)上的金属表层(1)充任发射极，其特征在于，具有基区P-区，位于N-扩散层(3)上部中心区域，浅结基区P+区设置在基区P-区中心区域，N+区设置在浅结基区P+区的中心区域，基区P-区边缘到器件边缘的距离为器件的终端尺寸L。 |
| 地址 |
132013吉林省吉林市深圳街99号 |
