| 发明名称 | 电阻变化型元件、半导体装置、和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供电阻变化型元件、半导体装置和其制造方法。电阻变化型元件的制造方法包括：在设置于基板上的层间绝缘层(104)中且底部具有下部电极(103)的接触孔(105)中，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的下方的方式堆积电阻变化材料(106)的工序；在堆积的电阻变化材料(106)之上，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的上方的方式堆积上部电极材料的工序；和通过CMP对具有叠层的电阻变化材料(106)和上部电极材料的电阻变化型元件进行元件分离的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101395717A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200780007386.7 | 申请日期 | 2007.02.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 魏志强;三河巧;高木刚;川岛良男 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种电阻变化型元件的制造方法，其特征在于，包括：在设置于基板上的层间绝缘层中、且底部具有下部电极的接触孔中，以所述接触孔中的上表面位于所述层间绝缘层的上表面的下方的方式堆积电阻变化材料的工序；在堆积的所述电阻变化材料之上，以所述接触孔中的上表面位于所述层间绝缘层的上表面的上方的方式堆积上部电极材料的工序；和通过CMP对具有叠层的所述电阻变化材料和所述上部电极材料的电阻变化型元件进行元件分离的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||