| 发明名称 | 单晶的生长方法 | ||
| 摘要 | 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101395305A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200780007680.8 | 申请日期 | 2007.03.05 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学;丰田合成株式会社 | 发明人 | 岩井真;下平孝直;东原周平;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;山崎史郎;平田宏治 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒纯丹 |
| 主权项 | 1. 一种单晶的生长方法，其特征在于，通过在含氮非氧化性气氛下，在容器内使氮溶解在熔融的原料中而生长单晶时，在搅拌介质与前述熔融原料接触的状态下，一边摇动前述容器，一边生长前述单晶，其中，该搅拌介质至少表面由和前述熔融原料非反应性的材质形成。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||