| 发明名称 | 金属化工艺 | ||
| 摘要 | 一种金属化工艺，首先提供半导体基材，此半导体基材具有至少一含硅导电区域。接着，提供改善结块现象(agglomeration phenomenon)的离子注入于含硅导电区域。再来，对此半导体基材进行第一热处理，以修复半导体基材表面。其次，形成金属层于此半导体基材表面，金属层覆盖含硅导电区域。然后，对覆盖有金属层的此半导体基材进行第二热处理，以于含硅导电区域上形成金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101393855A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810108803.3 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 骆统;杨令武;苏金达;杨大弘;陈光钊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种金属化工艺，包括：(a)提供半导体基材，该半导体基材具有至少一含硅导电区域；(b)提供改善结块现象的离子注入于该含硅导电区域；(c)对该半导体基材进行第一热处理，以修复该半导体基材表面；(d)形成金属层于该半导体基材表面，该金属层覆盖该含硅导电区域；以及(e)对覆盖有该金属层的该半导体基材进行第二热处理，以于该含硅导电区域上形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||