发明名称 用于增强铜的电迁移抵抗性的涂布方法
摘要 本发明提供一种制造多层复合器件的方法,包括:(A)在介电层中具有铜区域的表面上形成介电层,通过使该表面接触:a)溶液,该溶液含有如权利要求1中所述的苯胺的重氮盐、带有至少一种官能团的重氮盐或式H<sub>2</sub>N-A-X-Z的胺化合物:b)或者接触,含有芳基重氮盐的第一溶液,然后含有带有至少一种选自硅烷、硅氮烷、硅氧烷、胺、羟基和羧基的官能团和带有至少一种能够与由于该芳基重氮盐而接枝在该复合材料的表面上的芳基反应的官能团的化合物的第二溶液;(B)形成由含硅的介电铜-蚀刻停止层和/或铜扩散阻挡层构成的覆层。
申请公布号 CN101395713A 申请公布日期 2009.03.25
申请号 CN200780007771.1 申请日期 2007.03.06
申请人 埃其玛公司 发明人 伊莎贝尔·比斯泊;纳塔莉·蒂尔瑞特;保罗·曼吉嗄里
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人 梁兴龙;王维玉
主权项 1. 一种制造诸如半导体器件等多层复合器件的方法,所述方法包括以下步骤(A)在具有由介电材料制成的至少一个区域和由铜或铜合金制成的至少一个区域的复合材料的表面上形成介电层,通过使所述复合材料的所述表面接触:a)溶液,所述溶液含有:-苯胺的重氮盐;-带有至少一种选自硅烷、硅氮烷、硅氧烷、胺、羟基和羧基的官能团的重氮盐;或所述重氮盐的前体;-式H2N-A-X-Z的胺化合物,其中:-A选自芳基,优选苯基,其可以是未取代的或被羟基、低级烷基或卤原子所取代;基团-CH-X-B,其中-B是芳基或杂芳基,优选苯基或具有5或6元环并具有1~3个氮原子的杂芳基;-X是单键或具有1~4个碳原子的亚烷基,优选-CH2-或-CH2-CH2-基团;-Z是选自硅烷、硅氮烷、硅氧烷、胺、羟基和羧基的官能团,优选胺或羧基;b)或者接触-含有芳基重氮盐的第一溶液,然后-含有带有至少一种选自硅烷、硅氮烷、硅氧烷、胺、羟基和羧基的官能团和带有至少一种能够与由于所述芳基重氮盐而接枝在所述复合材料的所述表面上的芳基反应的官能团的化合物的第二溶液;(B)在步骤(A)中得到的所述复合材料的所述表面上形成覆层,所述覆层由含硅的介电铜-蚀刻停止层和/或铜扩散阻挡层构成。
地址 法国梅西