| 发明名称 | 光辅助磁头装置、光辅助磁记录装置及光辅助磁记录方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光辅助磁头装置、光辅助磁记录装置以及光辅助磁记录方法。光辅助磁头装置包括聚焦光学系统和具有主磁极的薄膜磁头。聚焦光学系统包括半球形或超半球形的固体浸没透镜。薄膜磁头包括在主磁极的光入射侧上引起表面等离子体振子共振的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN101393747A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810211548.5 | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 小岛直人 |
| 分类号 | G11B5/127(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I;G11B5/012(2006.01)I;G11B11/105(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/127(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1. 一种光辅助磁头装置，包括聚焦光学系统；以及薄膜磁头，包括主磁极，其中，所述聚焦光学系统包括半球形或超半球形固体浸没透镜，并且其中，所述薄膜磁头包括在所述主磁极的光入射侧上引起表面等离子体振子共振的金属层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||