发明名称 电力用半导体器件
摘要 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件,在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的,根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件,在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。
申请公布号 CN101395701A 申请公布日期 2009.03.25
申请号 CN200780007843.2 申请日期 2007.03.19
申请人 三菱电机株式会社 发明人 大塚健一;三浦成久;今泉昌之;大森达夫
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 岳耀锋
主权项 1. 一种电力用半导体器件,其特征在于,具备:具有表面的半导体层(2);以在上述半导体层的上述表面的至少一部分上露出的方式在上述半导体层内形成的、预定的导电类型的半导体区(13);在上述半导体区上形成的第1绝缘膜(8);在上述半导体区上或上述第1绝缘膜上形成的电极(9,11);在上述电极上形成的、而且包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14);以及在上述第1金属层上形成的、而且包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。
地址 日本东京