发明名称 |
移位寄存器以及显示装置 |
摘要 |
一种移位寄存器,包括级联在一起以形成多个移位级的单元电路。每一个单元电路具有一个移位器和一个保持器,该移位器包括一个“与非”(NAND)电路,该NAND电路接收输入脉冲并将该输入脉冲作为其输入;该保持器具有PMOS晶体管和NMOS晶体管,该PMOS晶体管和NMOS晶体管串连连接在电源和馈送时钟脉冲的时钟输入端之间,它们的栅极和漏级分别共同连接在一起。保持器的输入端连接至NAND电路的输出端,保持器的输出电位作为另一个输入馈送入该NAND电路。奇数级单元电路与偶数级单元电路分别与彼此具有1/4相差的时钟脉冲同步动作。保持器保持与时钟脉冲同步的移位脉冲,并接着输出该移位脉冲。在该结构中,能减少正、负电源之间晶体管的数量,以使所需的电源电压降得更低,并加速移位寄存器的动作。 |
申请公布号 |
CN100472664C |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200410033003.1 |
申请日期 |
2004.02.25 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
野田和宏 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
傅 康;王 勇 |
主权项 |
1、一种包括多个单元电路的移位寄存器,所述多个单元电路级联连接以形成多个级,所述单元电路均包括:移位器,由与非NAND电路组成,用于接收输入脉冲作为它的一个输入;以及具有第一PMOS晶体管和NMOS晶体管的保持器,该第一PMOS晶体管和NMOS晶体管串联连接在电源和馈送有时钟脉冲的时钟输入端之间,它们的栅极和漏级分别相互共同连接在一起,其中,所述保持器的输入端连接至所述NAND电路的输出端,所述保持器的输出电位作为另一个输入馈送入所述NAND电路。 |
地址 |
日本东京都 |