| 发明名称 | 反熔丝单元及其制造过程 | ||
| 摘要 | 一种反熔丝单元，包括：MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，至少一个电阻层轨道(24)，所述电阻轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管并且适于传导加热电流以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100472773C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200580044938.2 | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | ST微电子（克偌林斯2）SAS公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 伯特兰·巴拉提;罗伯特·毛里齐奥·冈尼拉;塞巴斯蒂安·法布尔 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 霍育栋;颜 涛 |
| 主权项 | 1. 一种反熔丝单元，包括：MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，和至少一个电阻层轨道(24)，所述轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管，并且适于传导加热电流，以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。 | ||
| 地址 | 法国克偌林斯 | ||