磁阻效应元件的制造方法以及制造设备

摘要

本发明提供了一种具有低RA但高MR比的磁阻效应元件的制造方法以及制造设备。通过在成膜成所述MgO层的室内设置的构件(第一成膜室21内部的成膜室内壁37、遮护板36的内壁、隔板22和遮挡体等)的表面上附着有对氧和水等氧化性气体的吸气效果大的物质的成膜室内，成膜成所述MgO层，来制造在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO(氧化镁)层的磁阻效应元件。吸气效果大的物质为氧气吸附能的值为145kcal/mol以上的物质即可，特别优选作为构成所述磁阻效应元件的物质的Ta(钽)。

主权项

1、一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件在第一强磁性层和第二强磁性层之间具有MgO层，其特征在于，该方法依次包括形成第一强磁性层的工序、形成MgO层的工序以及形成第二强磁性层的工序；所述形成MgO层的工序在具有构件的成膜室内进行，该构件的表面附着有对氧化性气体的吸气效果比MgO大的物质。