非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先于基板上依序形成介电层、第一导体层及罩幕层。图案化罩幕层、第一导体层及介电层，以形成浮置栅极与多个开口。然后，于开口的侧壁上形成间隙壁。于各开口下方的基板中形成源极/漏极区。进行热氧化制程氧化各开口所暴露的基板，以于源极/漏极区上方形成一层绝缘层。之后，移除罩幕层，并形成一栅间介电层覆盖于第一导体层的表面及绝缘层的表面。接着，于栅间介电层上形成一层第二导体层。

主权项

1. 一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：于一基板上依序形成一第一介电层、一第一导体层及一罩幕层；移除部分该罩幕层、部分该第一导体层及部分该第一介电层，以形成多个开口；于该些开口的侧壁上形成间隙壁；于各开口下方的该基板中分别形成一源极/漏极区；进行一热氧化制程氧化各开口所暴露的该基板，以于该源极/漏极区上方形成一绝缘层；移除该罩幕层；形成一栅间介电层覆盖于该第一导体层的表面及该绝缘层的表面；以及于该栅间介电层上形成一第二导体层。