| 发明名称 | 多级存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多级存储器件及其操作方法。该器件包括一种存储结构，其中其电阻等级在其最小值附近的分布密度高于其电阻等级的最大值附近的分布密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101393772A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810213858.0 | 申请日期 | 2008.09.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 高宽协;河大元 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种包括插在第一电极与第二电极之间的存储结构的多级存储器件，其中，该存储结构的电阻等级在其最小值附近的分布密度高于在其电阻等级的最大值附近的分布密度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||