| 发明名称 | 离子注入后的清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种离子注入后的清洗方法，包括：提供半导体基底；对所述半导体基底执行离子注入操作；利用氧化清洗溶液对经历离子注入操作后的所述半导体基底执行第一清洗操作；配置碱性清洗溶液，所述碱性清洗溶液的pH值大于8；利用所述碱性清洗溶液对所述半导体基底执行第二清洗操作。可在完成清洗操作后减少所述半导体基底的离子注入表面产生凹陷的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101393843A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710046311.1 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种离子注入后的清洗方法，其特征在于，包括:提供半导体基底；对所述半导体基底执行离子注入操作；利用氧化清洗溶液对经历离子注入操作后的所述半导体基底执行第一清洗操作；配置碱性清洗溶液，所述碱性清洗溶液的PH值大于8；利用所述碱性清洗溶液对所述半导体基底执行第二清洗操作。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||