发明名称 薄膜电晶体用闸绝缘膜形成剂
摘要 本发明系关于一种薄膜电晶体用闸绝缘膜形成剂;也就是说,本发明系提供一种不仅是在闸绝缘膜之制造即刻后之初期电特性,也考虑在使用闸绝缘膜而制作有机薄膜电晶体时之其他步骤后之电特性或者是制作之元件之电特性之可靠性为止的新型之闸绝缘膜形成材料。一种薄膜电晶体用闸绝缘膜形成剂、由该薄膜电晶体用闸绝缘膜形成剂所得到之薄膜电晶体用闸绝缘膜和具有该绝缘膜之薄膜电晶体以及这些之制造方法,其特征为:含有包含具备将具有含羟烷基之基来作为氮原子上之取代基之三 三酮环之重复单位之寡聚物化合物或聚合物化合物以及溶剂。
申请公布号 TW200913277 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097120278 申请日期 2008.05.30
申请人 日产化学工业股份有限公司 发明人 前田真一;岸冈高广
分类号 H01L29/786(2006.01);C08G73/06(2006.01);C08G59/26(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L51/05(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本