发明名称 半导体装置之制造方法及基板处理装置
摘要 提供一种半导体装置之制造方法,可防止对电气特性之不良影响,而且可以薄膜化EOT。半导体装置之制造方法,系具有:于矽基板上形成金属氧化膜,藉由热处理使该金属氧化膜与上述矽基板产生固相反应而形成矽酸盐膜的工程;及于该矽酸盐膜上形成高介电系数绝缘膜的工程。
申请公布号 TW200913062 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097122291 申请日期 2008.06.13
申请人 日立国际电气股份有限公司;罗姆股份有限公司 发明人 小川有人;岩本邦彦;太田裕之
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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