发明名称 半导体记忆体装置及半导体记忆体装置之动作方法
摘要 本发明系实现一种能够用作各种记忆体类型之记忆体的半导体记忆体装置。于作为半导体记忆体装置之记忆体IC晶片之封装内,不仅设置着作为DRAM或者SRAM之记忆体阵列部,而且亦设置着与例如SDR、DDR、DDR2…DDR(n)、SRAM、DPRAM、FIFO等各种记忆体类型相对应之复数个介面模组。各介面模组分别根据来自外部记忆体控制电路之存取请求,以符合相应之记忆体类型之时序进行资料写入/读出。使藉由模式控制而发挥作用之介面模组成为动作状态,便可根据所指示之模式,而作为各种记忆体类型之记忆体进行动作。
申请公布号 TW200912951 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097119428 申请日期 2008.05.26
申请人 新力股份有限公司 发明人 柏浩太郎
分类号 G11C7/10(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本