制造半导体光电元件之方法及其制造过程中回收基板之方法

摘要

本发明揭露一种制造一半导体光电元件的方法。该方法首先制备一基板。接着，该方法形成一缓冲层于该基板上。然后，该方法形成一多层结构于该缓冲层上。该多层结构包含一作用区。该缓冲层辅助该多层结构之一最底层之形成并且作为一剥离层。最后，藉由一蚀刻液，该方法仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。