相变化记忆体元件及其制造方法

摘要

一种相变化记忆体元件。一第二导电间隙壁位于一第一导电间隙壁下方。一相变化层，包括一第一部份和一第二部份，其中第一部份大体上平行第一和第二导电间隙壁。第二部份系位于第二导电间隙壁上，其中第二导电间隙壁经由相变化层之第二部份，电性连接第一导电间隙壁。