晶圆再生方法及晶圆再生装置

摘要

本发明系对表面形成有其他物质层210之半导体晶圆200，除去该其他物质层210而进行再生的晶圆再生方法，其包含有：物理除去步骤，其将该其他物质层210物理性地除去；膜形成步骤，其系于藉由该物理除去步骤而除去了其他物质层210之面形成膜220；及乾式蚀刻步骤，其藉由电浆同时对藉由膜形成步骤所形成之膜220及半导体晶圆200进行蚀刻。