发明名称 半导体记忆体装置、半导体记忆体装置之动作方法
摘要 本发明系实现一种可作为各种记忆体类型之记忆体使用之半导体记忆体装置。本发明除了于作为半导体记忆体装置之记忆体IC晶片之封装体内,设置有作为DRAM或SRAM之记忆体阵列部以外,亦设置有因应例如SDR、DDR、DDR2...DDR(n)、SRAM、DPRAM、FIFO等各种记忆体类型之复数介面模组。各介面模组系分别因应来自外部记忆体控制电路之存取要求,以与相对应之记忆体类型符合之时序,进行资料写入/读出。例如SDR用之介面模组系将对于记忆体阵列部之写入/读出,进行从外部看来如SDR记忆体阵列之输出入。藉此,可作为各种记忆体类型之记忆体来动作。
申请公布号 TW200912926 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097118923 申请日期 2008.05.22
申请人 新力股份有限公司 发明人 柏浩太郎
分类号 G11C11/40(2006.01) 主分类号 G11C11/40(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本