具有萧特基二极体之相变记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种相变记忆体装置，其包括在一半导体基板上沿一方向延伸之字线。低浓度半导体图案设置于该等字线上。节点电极设置于该等低浓度半导体图案上。萧特基二极体设置于该等低浓度半导体图案与该等节点电极之间。相变电阻器设置于该等节点电极上。