非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法。首先，提供其上已形成有介电层、第一导体层、闸间介电层与第二导体层之基底。之后，图案化第二导体层、闸间介电层、第一导体层与介电层，以形成闸极结构。接着，于闸极结构之侧壁形成第一保护层。继之，形成图案化光阻层，且图案化光阻层暴露出预形成掺杂区之基底。然后，于基底中形成掺杂区。在第一保护层形成之后，移除图案化光阻层。