半导体发光装置

摘要

一种半导体发光装置，包含：主动层；电极，形成于主动层上方；电流散布层，形成于主动层与电极之间，比主动层具有更大的能带隙能量，以及将从电极注入的电子散布至主动层的平面中；以及，表面经过处理的层，形成于电流散布层之上，比主动层具有更大的能带隙能量，以及具有设有大量凹凸结构的不均匀表面区，其中，电极不形成于该不均匀表面区上。表面经过处理的层比电流散布层具有更高的始于费米能阶的导电带边缘能量、或更高的始于费米能阶的共价带边缘能量。