发明名称 主动区域布局及其记忆体结构
摘要 本发明提出一种使用5F#sP!2#eP!面积之主动区域布局,包含一基板以及复数个以行列方式设置于该基板中之V型主动区域。该V型主动区域之形状系由一左侧椭圆、一中间椭圆及一右侧椭圆联集而成,该左侧椭圆与该右侧椭圆之大小相同且以镜像方式设置于该中间椭圆之两侧并与该中间椭圆形成一夹角,且相邻二行之V型主动区域系以反向交错方式设置。
申请公布号 TW200913158 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW096133345 申请日期 2007.09.07
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲;李名言;蔡文立
分类号 H01L21/8242(2006.01);H01L27/105(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市科学工业园区力行路19号3楼