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发明名称
制造半导体装置及显示装置之方法
摘要
本发明的目的在于提供不使薄膜电晶体的制程复杂化且适合大量生产的显示装置的制造方法。藉由以氢化矽或卤化矽为原料气体且使用1GHz以上的频率的微波电浆CVD装置来形成微晶半导体膜,以及形成使用该微晶半导体膜之薄膜电晶体及连接到该薄膜电晶体的显示元件。因为使用1GHz以上的频率的微波所产生的电浆具有高电子密度,因此可以容易分解原料气体的氢化矽或卤化矽,进而可以提高显示装置的大量生产性。
申请公布号
TW200913075
申请公布日期
2009.03.16
申请号
TW097119418
申请日期
2008.05.26
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山崎舜平
分类号
H01L21/335(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/133(2006.01)
主分类号
H01L21/335(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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