利用氧化物硬遮罩蚀刻低介电常数材料之方法

摘要

说明一薄膜堆叠的图案化方法。本方法包含在基板上制备一薄膜堆叠，其中该薄膜堆叠包含形成于该基板上之含SiCOH层、一形成于含SiCOH层上之氧化矽（SiOx）层、及一形成于氧化矽层上之遮罩层。在该遮罩层中产生一图案。其后，遮罩层中的图案利用蚀刻制程转移至氧化矽层，接着移除遮罩层。氧化矽层中的图案利用乾式电浆蚀刻制程转移至含SiCOH层，该乾式电浆蚀刻制程系由包含NF#sB!3#eB!之处理组成物所形成。