| 摘要 |
一种应用于模组积体电路之金属导电结构，其包括：一晶圆、一第一绝缘单元及一第一导电单元。该晶圆具有一本体及至少一贯穿该本体之穿孔。该第一绝缘单元具有一成形于该至少一穿孔的内表面之第一内绝缘层及一从该第一内绝缘层延伸而出并成形于该本体的第一部分下表面之第一外绝缘层。该第一导电单元具有一成形于该第一内绝缘层上之第一内导电层及至少一成形于该第一外绝缘层上之第一导通点。透过导通一模组积体电路之上、下层电路，以制作出一以矽晶圆为载板之模组积体电路。本发明整合现有之半导体蚀刻与沈积之技术，并结合模组积体电路之开发，以提供一低成本、容易制作之金属导电结构。 |
