发明名称 | 具有相变化元件及非对称热边界之多阶记忆胞 | ||
摘要 | 一多阶相变化记忆胞,其具有第一与第二绝热材料,个别具有不同的导热性质,并与相变化材料的第一与第二边界具有导热关系。因此,当施加电流以增加记忆材料之温度时,热能将以非对称之方式,沿着在电极之间垂直于电场线的方向散逸。 | ||
申请公布号 | TW200913250 | 申请公布日期 | 2009.03.16 |
申请号 | TW096132948 | 申请日期 | 2007.09.04 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜;陈逸舟 |
分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L47/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |