发明名称 具有相变化元件及非对称热边界之多阶记忆胞
摘要 一多阶相变化记忆胞,其具有第一与第二绝热材料,个别具有不同的导热性质,并与相变化材料的第一与第二边界具有导热关系。因此,当施加电流以增加记忆材料之温度时,热能将以非对称之方式,沿着在电极之间垂直于电场线的方向散逸。
申请公布号 TW200913250 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW096132948 申请日期 2007.09.04
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜;陈逸舟
分类号 H01L27/24(2006.01);H01L47/00(2006.01) 主分类号 H01L27/24(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号